چهارشنبه 11 اسفند‌ماه سال 1395 @ 01:37

یک تمام جمع کننده سرعت بالا و ولتاژ پایین بهینه شده با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET)

یک مقاله جدید با عنوان "یک تمام جمع کننده سرعت بالا و ولتاژ پایین بهینه شده  با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET)" که در کنفرانس ملی نانو ساختارها ارائه کردم.


برای شبیه سازی و طراحی مدارات مجتمع و VLSI با استفاده از GNRFET با ما تماس بگیرید

09352127216

نظرات (1)
حسینی ||
دوشنبه 16 اسفند‌ماه سال 1395 ساعت 01:56
سلام
وقت بخیر
استفاده کردیم قربان
امتیاز: 0 0
برای نمایش آواتار خود در این وبلاگ در سایت Gravatar.com ثبت نام کنید. (راهنما)
نام :
ایمیل :
وب/وبلاگ :
ایمیل شما بعد از ثبت نمایش داده نخواهد شد