X
تبلیغات
رایتل
پنج‌شنبه 6 تیر‌ماه سال 1392 @ 17:47

فعالیتهای ما



عمده فعالیتهای ما عبارتند از:
  • طراحی مدارات آنالوگ و دیجیتال
  • طراحی مدارهای مبتنی بر میکرو کنترلر AVR
  • طراحی مدارهای مبتنی بر میکرو کنترلر 8051
  • طراحی مدارهای مبتنی بر میکرو کنترلر PIC
  • طراحی مدارهای مبتنی بر میکرو کنترلر ARM
  • طراحی مدار چاپی
  • شبیه سازی مدارات با نرم افزار Pspice
  • شبیه سازی مدارات با نرم افزار Hspice
  • شبیه سازی مدارات با نرم افزار Proteus
  • شبیه سازی مدارات با نرم افزار Protel
  • شبیه سازی مدارات با نرم افزار AWR
  • شبیه سازی مدارات با نرم افزار Spectre
  • شبیه سازی مدارات با نرم افزار S-Edit
  • شبیه سازی مدارات با نرم افزار ADS
  • شبیه سازی مدارات با نرم افزار WorkBench
  • شبیه سازی مدارات با نرم افزار ETAP
  • شبیه سازی مدارات با نرم افزار PSCAD
  • انجام پروژه های COMSOL
  • انجام پروژه های Ansys
  • انجام پروژه های LabView
  • انجام پروژه های VHDL
  • انجام پروژه های Verilog
  • انجام پروژه های VHDL-AMS
  • انجام پروژه های Matlab
  • انجام پروژه های رباتیک
  • طراحی و چینش مدارات مجتمع آنالوگ و دیجیتال با Cadenceو L-Edit
  • نقشه کشی صنعتی برق با ePLAN و AutoCAD Electrical
  • انجام محاسبات روشنایی
  • انجام پروژه های TCAD
  • انجام پروژه های MEMS
  • انجام پروژه های مدار مجتمع
  • انجام پروژه های VLSI
  •  انجام پروژه های کنترل صنعتی
  • برنامه نویسی PLC
  • برنامه نویسی #Cو SQL Server
  • برنامه نویسی Visual Basic.NET و SQL Server
  • برنامه نویسی Visual Cو SQL Server
  • طراحی سایتهای استاتیک و دینامیک
  • آموزش کلیه نرم افزارهای تخصصی و کاربردی مهندسی برق و کامپیوتر
  • تدریس کلیه دروس مهندسی برق از هنرستان تا کارشناسی ارشد


برای اطلاعات بیشتر با ما تماس بگیرید


09352127216


09380602342



تماس با ما

چهارشنبه 8 شهریور‌ماه سال 1396 @ 03:13

اسیلاتور حلقوی موج میلیمتری با استفاده از ترانزیستور GNRFET در فرکانس 213 گیگا هرتز و فراتر

یک مقاله جدید با عنوان "اسیلاتور حلقوی موج میلیمتری با استفاده از ترانزیستور GNRFET  در فرکانس 213 گیگا هرتز و فراتر" که در اولین کنفرانس ملی پژوهش های کاربردی در علوم و مهندسی ارائه گردید.

اسیلاتور حلقوی موج میلیمتری با استفاده از ترانزیستور GNRFET  در فرکانس 213 گیگا هرتز و فراتر


برای شبیه سازی و طراحی مدارات مجتمع و VLSI با استفاده از GNRFET با ما تماس بگیرید

09352127216

در کانال تلگرام بیتا پروژه با ما همراه باشید

بیتا پروژه

چهارشنبه 8 شهریور‌ماه سال 1396 @ 03:04

یک تمام جمع کننده با نشتی فوق العاده پایین و سرعت بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET)

ک مقاله جدید با عنوان "یک تمام جمع کننده با نشتی فوق العاده پایین و سرعت بالا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET)" که در اولین کنفرانس ملی پژوهش های کاربردی در علوم و مهندسی ارائه گردید.